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首頁新聞中心 Abracon硅振蕩器為差分系列晶振樹立新標準ASTMUPLPV-125.000MHZ-LY-E-ND

Abracon硅振蕩器為差分系列晶振樹立新標準ASTMUPLPV-125.000MHZ-LY-E-ND

來源:http://www.qp11688.cn 作者:金洛鑫 2023年07月12

如今,硅振蕩器為開發人員和供應鏈管理人員提供了現代元件應該具備的一切功能。極端的多功能性、極端的堅固性和壽命,MTBF超過5億小時,極端的精度與非常小的外殼和非常低的價格相結合。
Abracon硅振蕩器是石英晶體振蕩器的直接替代產品,甚至可以在不重新設計電路板的情況下使用。除了節省成本,用戶還受益于30倍的使用壽命和更高的抗沖擊和振動能力,使他們的應用更加安全可靠。革命性的超低功耗32.768 kHz XOs和TCXOs封裝尺寸分別為1.5 x 0.8 mm和2.0 x 1.6 mm,功耗極低,小于1 A,在-40°C至+85°C的溫度范圍內穩定度從5 ppm開始,通過降低幅度可以進一步降低功耗,使其完全適應應用。鑒于其極低的功耗,VDD范圍為1.2至3.63的振蕩器系列非常適合電池供電應用,如物聯網、可穿戴設備、GPS、RTC、P時鐘、智能計量、智能住宅、智能手機、平板電腦、健康和保健監控器、運動攝像機、無線鍵盤、工業(即使在高環境溫度下)、嵌入式計算、消費電子產品、汽車等。
最小功耗
0.2至137 MHz頻率范圍內的標準低功耗XO以其極低的價格、極低的功耗、非常精確的標準頻率穩定性(在-40/+85°C時為20 ppm)和出色的抖動值而脫穎而出。這類EMI性能比同類石英振蕩器好54倍。VDD范圍為1.5至3.63石英振蕩器在137 MHz時的功耗為4.8 mA。在類似條件下,石英基XO消耗約40 mA。在1至110 MHz范圍內,功耗僅為3.4 mA,另外還具有省電停止功能。在待機模式下,標準外殼(2.0x 1.6;2.5 x 2.03.2 x 2.55.0 x 3.2和7.0 x 5.0 mm)僅為0.6 A。對于新設計,Abracon晶振建議使用2.0 x 1.6 mm或2.5 x 2.0 mm外殼中的系列,因為這些外殼比相同尺寸的石英振蕩器或5.0 x 3.2 mm或7.0 x 5.0 mm的較大陶瓷外殼中的石英振蕩器更實惠。此外,可以在這些外殼中創建與其他振蕩器變體的交叉應用(例如,具有低功率擴頻的低功率振蕩器)。
一個振蕩器,兩個頻率
極具創新性的Abracon晶體振蕩器系列沒有問題。它們可以輸出1至110 MHz頻率范圍內的兩種頻率,可通過頻率選擇引腳進行選擇。可調整的輸出頻率為F0(基頻)或基頻的分頻。從F0,可以產生F0/2、F0/3、F0/4或F0/8的分頻。例如,以太網為50/25 MHz,音頻為24.576/12.288 MHz,視頻為54/27 MHz,CPU為66/33 MHz,USB應用為48/24/12 MHz。第一年后老化為1 ppm,因此處于TCXO水平。標準穩定性在-20/+70°C范圍內為20 ppm,在-40/+85°C范圍內為25 ppm,0.8 ps的抖動值當然是業界最佳值。使用LPO-2,可以非常方便地在兩個不同的頻率下多次使用振蕩器,可以在開發、認證、元件、采購和基礎設施成本方面節省大量資金。
極低頻率漂移
硅振蕩器技術產品范圍還包括低成本超高性能振蕩器和高精度/高溫振蕩器。在-40°C至125°C的溫度范圍內,這些振蕩器提供20 ppm的極低頻率漂移,而AECQ100汽車標準型號在-55°C至125°C的溫度范圍內甚至提供25 ppm的頻率漂移,傳統生產的時鐘石英振蕩器不可能達到這些精度等級。硅振蕩器的可靠性也比石英振蕩器高三十倍。Abracon特別注意到,在非常小的外殼中安裝非常高精度的振蕩器正越來越多地用于“信息娛樂系統”、“車載網絡”、“碰撞檢測”和“檔位控制”等領域。因此,極高的抗沖擊和抗振動性、極低的頻率穩定性值和極低的價格不僅對汽車行業的客戶極具吸引力。
用于網絡和計算的振蕩器
Abracon的硅振蕩器技術也為差分晶振XO、VCXOs和VCTCXOs樹立了新的標準。例如,頻率范圍為1至800 MHz的LVPECL和LVDS型號的樣品和小批量樣品可在一天內提供。此外:這些振蕩器在0°C至70°C的溫度范圍內還具有10 ppm的出色頻率穩定性。在-40°C至85°C的溫度范圍內,抖動值極低,為0.3 ps,因此非常適合IEEE802.3-2005標準的10 GB以太網和電信應用。10年后5 ppm的老化小于石英基TCXO的老化。因此,這些振蕩器適合網絡和計算、服務器和存儲應用、SONET、SATA、SAS、PCI-Express、路由器、全緩沖DIMM和光纖產品等應用。這個地區的樣品和小批量產品可以在一天內送到。
寬頻譜 
VCXOs在1.0至625 MHz的高頻譜中表現突出,拉高范圍高達1600 ppm。也可以選擇-40/+85°C范圍內10 ppm至50 ppm的頻率穩定性,其中10年后的長期老化為5 ppm。同樣,對于VCXOs,以及VCTCXOs和Stratum-3振蕩器,人們關注的是出色的抖動性能、極高的魯棒性和極低的價格。
擴頻振蕩器
硅振蕩器技術產品系列由1至220 MHz標準頻率范圍內的低功耗高性能擴頻振蕩器組成。中心擴展范圍為0.125%至2.0 %,而向下擴展范圍為-0.25%至-4 %,這意味著這類晶振適用于電信應用、掃描儀、打印機、復印機、接口控制器、顯卡、PCI、CPU、機頂盒、LCD和所有其他EMC關鍵應用。VDD范圍是1.8到3.63伏直流電。擴頻振蕩器提供2.5 x 2.0 mm至7.0 x 5.0 mm的外殼,其中2.5 x 2.0 mm的外殼因其非常優惠的價格而推薦用于新開發。
擴散函數
在某些版本中,也可以禁用跨頁。在-40/+85°C溫度范圍內,無擴展時的頻率穩定度為25 ppm,周期間抖動極低,為30 ps。因此,開發人員可以選擇啟用定義的跨頁。這大大降低了開發、元件、存儲和采購的成本,因為同一振蕩器可以用于許多不同的客戶應用,無論有無擴展。像硅振蕩器產品系列中的所有其他產品一樣,擴頻振蕩器產品組提供了幾乎無限的應用可能性。
為什么要替代石英?
一個2.0×1.6mm低成本硅振蕩器可以為多個IC提供時鐘。在1至220 MHz的頻率范圍內,其頻率穩定性在-40至+85°C范圍內最大為20 ppm,在-55至+125°C范圍內最大為25 ppm。沒有石英晶振可以做到這一點!2.0 × 1.6 mm石英晶體的工作頻率僅為20 MHz,2.5 × 2.0 mm外殼的工作頻率僅為12 MHz。根據外殼和頻率的不同,這些微型SMD石英晶體的電阻為250至60歐姆(12至64 MHz)。根據每天進行的客戶電路分析,Abracon的應用工程師經常注意到,要計時的振蕩器級的負輸入電阻不夠高,無法通過這些非常小的高歐姆石英晶體實現足夠的啟動可靠性。汽車客戶甚至要求安全系數大于10!在非汽車應用中,由于電阻非常高,非常小的石英晶體也無法實現足夠大的安全系數。此外,即使非常小的石英晶體仍然需要至少兩個連接到GND的外部電容,如果不是實際的外部電阻的話。所有這些都會占用PCB空間,而用戶通常不必留出這些空間,或者在下一個小型化階段將不再需要這些空間。一個2.0 x 1.6 mm的振蕩器幾乎不需要3.2 mm的PCB空間。僅此而已。這種解決方案非常靈活,非常實惠,壽命非常長,在小型化的下一階段是不可或缺的。另一個需要考慮的因素是通常非常高的驅動電平,大于400 W至1 mW,甚至更高。許多用戶往往不知道電路中的驅動電平有多高,因為沒有簡單的方法來正確測量這個值。這些高驅動電平極大地使小石英晶體過載,因此會大大縮短石英晶體的壽命。高驅動對微振蕩器來說不成問題。只需從振蕩器級將CLC-OUT連接到XIN,就大功告成了。
時鐘專家的好建議
為了盡可能地節省成本,開發新項目時首先要考慮的是時鐘。將使用哪些集成電路;如何將它們非常緊密地放置在一起,以便單個微振蕩器可以同時為幾個IC提供時鐘,從而避免需要多個石英晶體和石英振蕩器?如何避免EMC干擾?Abracon的應用工程師可以通過提供建議和幫助來提供幫助,并且可以向客戶展示和提供來自極其廣泛和深入的產品范圍的最佳產品解決方案的樣品。

基于高度創新的硅振蕩器技術,Abracon擁有非常廣泛的不同振蕩器,如超低功耗振蕩器、超高性能低功耗振蕩器、高溫低功耗振蕩器、差分XO、vcxo和vctcxo高達800 MHz、vcxo、vctcxo、Stratum-3振蕩器和擴頻振蕩器。高度創新的振蕩器解決方案的頻率范圍為1 Hz至800 MHz,溫度范圍為-55°C至125°C,具體取決于器件。
憑借最高質量和極具創新性的產品,結合非常廣泛的技術服務和定價目錄以及適應供應鏈的物流系統,以及卓越的產品質量,Abracon將繼續鞏固其作為頻率確定元件專業合作伙伴的地位,并為其客戶提供極短的上市時間以及開發、認證、元件、收購和基礎設施方面的成本降低。

原廠編碼 品牌 型號 頻率 輸出 電壓 頻率穩定性
ASAK-32.768KHZ-LRS-T Abracon LLC ASAK 32.768kHz LVCMOS 3.3V ±25ppm
ASAK-32.768KHZ-LRS-T Abracon LLC ASAK 32.768kHz LVCMOS 3.3V ±25ppm
ASAK-32.768KHZ-LRS-T Abracon LLC ASAK 32.768kHz LVCMOS 3.3V ±25ppm
ASAK1-32.768KHZ-LRS-T Abracon LLC ASAK 32.768kHz LVCMOS 2.5V ±25ppm
ASAK1-32.768KHZ-LRS-T Abracon LLC ASAK 32.768kHz LVCMOS 2.5V ±25ppm
ASAK1-32.768KHZ-LRS-T Abracon LLC ASAK 32.768kHz LVCMOS 2.5V ±25ppm
ASAK2-32.768KHZ-LRS-T Abracon LLC ASAK 32.768kHz LVCMOS 1.8V ±25ppm
ASAK2-32.768KHZ-LRS-T Abracon LLC ASAK 32.768kHz LVCMOS 1.8V ±25ppm
ASAK2-32.768KHZ-LRS-T Abracon LLC ASAK 32.768kHz LVCMOS 1.8V ±25ppm
ASG-ULJ-100.000MHZ-514895-T2 Abracon LLC ASG-ULJ 100MHz LVPECL 2.5V ±50ppm
ASG-ULJ-100.000MHZ-514895-T2 Abracon LLC ASG-ULJ 100MHz LVPECL 2.5V ±50ppm
ASG-ULJ-100.000MHZ-514895-T2 Abracon LLC ASG-ULJ 100MHz LVPECL 2.5V ±50ppm
ASG-ULJ-156.250MHZ-514804-T2 Abracon LLC ASG-ULJ 156.25MHz LVPECL 3.3V ±35ppm
ASG-ULJ-156.250MHZ-514804-T2 Abracon LLC ASG-ULJ 156.25MHz LVPECL 3.3V ±35ppm
ASG-ULJ-156.250MHZ-514804-T2 Abracon LLC ASG-ULJ 156.25MHz LVPECL 3.3V ±35ppm
ASG-ULJ-114.285MHZ-515136-T2 Abracon LLC ASG-ULJ 114.285MHz LVCMOS 3.3V ±25ppm
ASG-ULJ-114.285MHZ-515136-T2 Abracon LLC ASG-ULJ 114.285MHz LVCMOS 3.3V ±25ppm
ASG-ULJ-114.285MHZ-515136-T2 Abracon LLC ASG-ULJ 114.285MHz LVCMOS 3.3V ±25ppm
ASFLMX-50.000MHZ-5ABB Abracon LLC ASFLMX 50MHz LVDS 2.375 V ~ 3.63 V ±50ppm
ASG-ULJ-125.000MHZ-514807-T2 Abracon LLC ASG-ULJ 125MHz LVPECL 3.3V ±35ppm
ASG-ULJ-125.000MHZ-514807-T2 Abracon LLC ASG-ULJ 125MHz LVPECL 3.3V ±35ppm
ASG-ULJ-125.000MHZ-514807-T2 Abracon LLC ASG-ULJ 125MHz LVPECL 3.3V ±35ppm
ASG2-LJ-125.000MHZ-513291 Abracon LLC ASG2-LJ 125MHz LVDS 2.5V ±35ppm
ASG-P-V-A-100.000MHZ Abracon LLC ASG-P 100MHz LVPECL 3.3V ±35ppm
ASG2-D-X-A-500.000MHZ Abracon LLC ASG2-D 500MHz LVDS 3.3V ±50ppm
ABLNO-V-96.000MHZ-T2 Abracon LLC ABLNO 96MHz LVCMOS 3.3V ±18ppm
ABLNO-V-96.000MHZ-T2 Abracon LLC ABLNO 96MHz LVCMOS 3.3V ±18ppm
ABLNO-V-96.000MHZ-T2 Abracon LLC ABLNO 96MHz LVCMOS 3.3V ±18ppm
ABLNO-V-120.000MHZ-T2 Abracon LLC ABLNO 120MHz LVCMOS 3.3V ±18ppm
ABLNO-V-120.000MHZ-T2 Abracon LLC ABLNO 120MHz LVCMOS 3.3V ±18ppm
ABLNO-V-120.000MHZ-T2 Abracon LLC ABLNO 120MHz LVCMOS 3.3V ±18ppm
ASG-D-X-A-500.000MHZ Abracon LLC ASG-D 500MHz LVDS 3.3V ±35ppm
ABLNO-V-100.000MHZ-T2 Abracon LLC ABLNO 100MHz LVCMOS 3.3V ±18ppm
ABLNO-V-100.000MHZ-T2 Abracon LLC ABLNO 100MHz LVCMOS 3.3V ±18ppm
ABLNO-V-100.000MHZ-T2 Abracon LLC ABLNO 100MHz LVCMOS 3.3V ±18ppm
ABLNO-V-80.000MHZ-T2 Abracon LLC ABLNO 80MHz LVCMOS 3.3V ±18ppm
ABLNO-V-80.000MHZ-T2 Abracon LLC ABLNO 80MHz LVCMOS 3.3V ±18ppm
ABLNO-V-80.000MHZ-T2 Abracon LLC ABLNO 80MHz LVCMOS 3.3V ±18ppm
AST3TQ-V-25.000MHZ-28 Abracon LLC AST3TQ-28 25MHz LVCMOS 3.3V ±280ppb
AST3TQ-V-30.720MHZ-28 Abracon LLC AST3TQ-28 30.72MHz LVCMOS 3.3V ±280ppb
ABLJO-V-125.000MHZ Abracon LLC ABLJO 125MHz LVCMOS 3.3V ±45ppm
ABLNO-V-81.920MHZ Abracon LLC ABLNO 81.92MHz LVCMOS 3.3V ±18ppm
ASDMB-24.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 24MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-24.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 24MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-24.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 24MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-24.576MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 24.576MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-24.576MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 24.576MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-24.576MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 24.576MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-27.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 27MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-27.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 27MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-27.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 27MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-8.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 8MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-8.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 8MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-8.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 8MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-25.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 25MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-25.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 25MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-25.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 25MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-16.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 16MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-16.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 16MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-16.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 16MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-50.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 50MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-50.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 50MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-50.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 50MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-10.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 10MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-10.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 10MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-10.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 10MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-48.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 48MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-48.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 48MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-48.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 48MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-12.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 12MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-12.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 12MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDMB-12.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 12MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASFLMB-50.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASFLMB 50MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASFLMB-50.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASFLMB 50MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASFLMB-50.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASFLMB 50MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASFLMB-25.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASFLMB 25MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASFLMB-25.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASFLMB 25MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASFLMB-25.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASFLMB 25MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASFLMB-24.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASFLMB 24MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASFLMB-24.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASFLMB 24MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASFLMB-24.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASFLMB 24MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±50ppm
ASDM1-25.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDM 25MHz LVCMOS 3.3V ±50ppm
ASDM1-25.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDM 25MHz LVCMOS 3.3V ±50ppm
ASDM1-25.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDM 25MHz LVCMOS 3.3V ±50ppm
ASDMB-25.000MHZ-LR-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 25MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±25ppm
ASDMB-25.000MHZ-LR-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 25MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±25ppm
ASDMB-25.000MHZ-LR-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 25MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±25ppm
ASFLMPHC-100.000MHZ-LR-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASFLMP 100MHz HCSL 2.25 V ~ 3.6 V ±25ppm
ASFLMPHC-100.000MHZ-LR-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASFLMP 100MHz HCSL 2.25 V ~ 3.6 V ±25ppm
ASFLMPHC-100.000MHZ-LR-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASFLMP 100MHz HCSL 2.25 V ~ 3.6 V ±25ppm
ASFLMB-25.000MHZ-LR-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASFLMB 25MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±25ppm
ASFLMB-25.000MHZ-LR-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASFLMB 25MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±25ppm
ASFLMB-25.000MHZ-LR-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASFLMB 25MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±25ppm
ASDM1-27.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDM 27MHz LVCMOS 3.3V ±50ppm
ASDM1-27.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDM 27MHz LVCMOS 3.3V ±50ppm
ASDM1-27.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDM 27MHz LVCMOS 3.3V ±50ppm
ASDM1-50.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDM 50MHz LVCMOS 3.3V ±50ppm
ASDM1-50.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDM 50MHz LVCMOS 3.3V ±50ppm
ASDM1-50.000MHZ-LC-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDM 50MHz LVCMOS 3.3V ±50ppm
ASDMB-26.000MHZ-LY-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 26MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±10ppm
ASDMB-26.000MHZ-LY-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 26MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±10ppm
ASDMB-26.000MHZ-LY-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 26MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±10ppm
ASFLMB-25.000MHZ-LY-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASFLMB 25MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±10ppm
ASFLMB-25.000MHZ-LY-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASFLMB 25MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±10ppm
ASFLMB-25.000MHZ-LY-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASFLMB 25MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±10ppm
ASDMB-27.000MHZ-XY-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 27MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±10ppm
ASDMB-27.000MHZ-XY-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 27MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±10ppm
ASDMB-27.000MHZ-XY-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 27MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±10ppm
ASDMB-24.000MHZ-XY-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 24MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±10ppm
ASDMB-24.000MHZ-XY-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 24MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±10ppm
ASDMB-24.000MHZ-XY-T Abracon LLC Pure Silicon™ ASDMB 24MHz LVCMOS 1.8 V ~ 3.3 V ±10ppm
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