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首頁應(yīng)用案例汽車產(chǎn)品NDK晶振,貼片晶振,NX5032GA晶振,日本NDK晶體

NDK晶振,貼片晶振,NX5032GA晶振,日本NDK晶體

規(guī)格型號：41362673
頻率：8.000MHZ-49.999MHZ
尺寸：5.0*3.2*1.3mm 詳細資料請查看PDF
PDF
產(chǎn)品描述：廣泛應(yīng)用于臺式電腦主機面板,U盤,跳舞毯,數(shù)碼攝像機,DVD機,報警器,環(huán)境清潔用電器，醫(yī)療用設(shè)備等電子產(chǎn)品.

NDK晶振,NX5032GA晶振,5032晶振,日本NDK晶體
參數(shù):頻率范圍8.000MHZ-49.999MHZ
激勵電平: 50μW (Max. 500μW )
負載電容: 8PF
工作溫度: -40℃~+85℃
保存溫度: -40℃~+125℃
精度 +/-30ppm
等效串聯(lián)電阻：Refer to*1
尺寸：超小型化5.0*3.2*1.3
應(yīng)用：平板電腦,USB接口，數(shù)碼相機，MP3，MP4，MP5，智能手機，無線數(shù)據(jù)通信設(shè)備等產(chǎn)品。

本集團所處于的事業(yè)環(huán)境是智能手機市場的擴大已在延緩，但伴隨著LTE的普及和要求比以往更高的GPS精度等帶來的搭載部件的構(gòu)成的變化，使得TCXO(溫補晶振)和SAW（彈性表面波）器件的需要在急速增加。
由此，本集團將方針轉(zhuǎn)換至面向量產(chǎn)市場的產(chǎn)品的再強化上，把均衡縮減戰(zhàn)略切換成成長戰(zhàn)略。并且展開在產(chǎn)業(yè)設(shè)備、車載、傳感器領(lǐng)域，利用高的品質(zhì)力和技術(shù)力用實力強的產(chǎn)品創(chuàng)造出利益的中期銷售計劃。通過贏得客戶的高評價和高信賴來確保持續(xù)的成長和安定的收益，來努力達成銷售額500億日元企業(yè)的復活的目標。

NDK晶振,NX5032GA晶振,5032晶振,日本NDK晶體，是日本品牌NDK研發(fā)生產(chǎn)的表面貼片型晶體振蕩器，陶瓷面封裝的使NX5032GA晶振工作時能耐得住-40°C 的低溫和+85°C的高溫，焊接時可應(yīng)對+250°C的高溫回流溫度，頂點溫度最高可達到+260°C，達到歐盟AEC-Q200的標準，采用防腐蝕材料，老化率一年可達到+/-3ppm，品質(zhì)保證擁有優(yōu)良的高信賴性。

NDK晶振型號	NX5032GA晶振,石英水晶諧振器
頻率范圍	8.000MHZ~49.999MHZ
頻率公差(25℃)	±30 ppm的，可指定
頻率穩(wěn)定度超過工作溫度范圍	±50 ppm的，可指定
操作溫度范圍	-40~+ 85℃，可指定
并聯(lián)電容CO	5pF Max.
驅(qū)動電平	1~500μW（μW500典型）
負載電容	8 pF,可指定
老化（25℃）	±3 ppm /年最大。
存儲溫度范圍	-40~+125℃

（1）陶瓷包裝產(chǎn)品與SON產(chǎn)品
在焊接陶瓷封裝產(chǎn)品之后，彎曲電路板會因機械應(yīng)力而導致焊接部分剝落或封裝分裂（開裂）。尤其在焊接這些貼片晶振之后進行電路板切割時，務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。
（2）陶瓷封裝產(chǎn)品
在一個不同擴張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝產(chǎn)品時，在溫度長時間重復變化時可能導致端子焊接部分發(fā)生斷裂，請事先檢查焊接特性。
（3）柱面式產(chǎn)品
產(chǎn)品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會導致在引腳根部發(fā)生密封玻璃分裂（開裂），也可能導致氣密性和產(chǎn)品特性受到破壞。當晶體產(chǎn)品的引腳需彎曲成下圖所示形狀時，應(yīng)在這種場景下留出0.5mm的引腳并將其托住，以免發(fā)生分裂。當該引腳需修復時，請勿拉伸，托住彎曲部分進行修正。在該密封部分上施加一定壓力，會導致氣密性受到損壞。所以在此處請不要施加壓力。另外，為避負機器共振造成引腳疲勞切斷，建議用粘著劑將產(chǎn)品固在定電路板上。
（4）DIP產(chǎn)品
已變形的引腳不能插入板孔中。請勿施加過大壓力，以免引腳變形。
（5）SOJ 產(chǎn)品和SOP 產(chǎn)品
請勿施加過大壓力，以免引腳變形。已變形的引腳焊接時會造成浮起。尤其是晶振產(chǎn)品需要更加小心處理。

輸出波形與測試電路
1.時序表

2.    測試條件
(1)   電源電壓
超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。
(2)   其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測量頻率。
鉛探頭應(yīng)盡可能短。
測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經(jīng)過振蕩器的放大器時，可同時進行測量。
(3)   其他
CL包含探頭電容。
應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
使用微型插槽，以觀察波形。
（請勿使用該探頭的長接地線。）

3. 測試電路

NX50321GA ：在頻率電壓控制功能時，進行連接

（1）CMOS 負載
型號：
NX5032GA

（2）抗低,電容負載
型號：
NX5032GA

（3） TTL 負載
型號：
NX5032GA

（4） LV-PECL 負載
型號：
NX5032GA

（5）LV-PECL 負載
型號：
NX5032GA

（6） LV-PECL 負載
型號：
NX5032GA

（7） LVDS 負載
型號：
NX5032GA

（8） HCSL 負載
型號：
NX5032GA

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