NDK晶振,NV3225SA晶振,3225晶振,壓控晶振
參數(shù):頻率范圍1.250MHZ-80.000MHZ
電源電壓: 3.3V
負(fù)載電容: 15PF
工作溫度: -40℃~+85℃
保存溫度: -55℃~+125℃
精度 +/-50ppm
輸出方式：CMOS輸出 
尺寸：超小薄輕3.2*2.5*0.9
應(yīng)用：DH/SONET,以太網(wǎng)，平臺(tái)基站，筆記本，智能手機(jī)，通信設(shè)備等產(chǎn)品。

　　NDK集團(tuán)作為晶振頻率的綜合生產(chǎn)企業(yè)，為了向客戶提供高信賴(lài)性品質(zhì)的產(chǎn)品，我們始終追求最高品質(zhì)的產(chǎn)品生產(chǎn)和服務(wù)，以「通過(guò)對(duì)客戶的服務(wù)，為社會(huì)繁榮和世界和平作貢獻(xiàn)」這樣的公司創(chuàng)業(yè)理念作為我們的使命。
       現(xiàn)在我們作為提供電子業(yè)必不可少的，在豐富用途被廣泛使用的石英晶體元器件產(chǎn)品以及應(yīng)用水晶技術(shù)的傳感器等新的高附加價(jià)值產(chǎn)品的頻率綜合生產(chǎn)廠家，正以企業(yè)的繼續(xù)成長(zhǎng)為目標(biāo)而努力。

支持240℃高溫回流焊,頂點(diǎn)溫度可以達(dá)到260℃等優(yōu)勢(shì)，而受到廣大電子數(shù)碼產(chǎn)品廠商的青睞，尤其適用于智能手機(jī)，平板電腦，筆記本，以太網(wǎng)等領(lǐng)域。

噪音
在電源或輸入端上施加執(zhí)行級(jí)別(過(guò)高)的不相干(外部的)噪音，可能會(huì)導(dǎo)致該進(jìn)口晶振引發(fā)功能失常或擊穿的閉門(mén)或雜散現(xiàn)象。
電源線路
電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。
輸出負(fù)載
建議將輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）。
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng)，從而導(dǎo)致非正常工作。同時(shí)，當(dāng)P通道和N通道都處于打開(kāi)時(shí)，電源功率消耗也會(huì)增加；因此，請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC 或GND。
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的晶體單元的產(chǎn)品特性，并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。
安裝方向
石英振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰，因此安裝時(shí)，請(qǐng)檢查安裝方向是否正確。
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電，否則會(huì)導(dǎo)致無(wú)法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作。

輸出波形與測(cè)試電路
1.時(shí)序表

2.    測(cè)試條件
(1)   電源電壓
    超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。
    電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。
(2)   其他
   輸入電容低于 15 pF
   5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。
   鉛探頭應(yīng)盡可能短。
   測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。
(3)   其他
    CL包含探頭電容。
    應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
    使用微型插槽，以觀察波形。
（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線。）

3.    測(cè)試電路

NV3225SA ：在頻率電壓控制功能時(shí)，進(jìn)行連接       

（1）CMOS 負(fù)載 型號(hào)： NV3225SA

·          

（2） 抗低,電容負(fù)載 型號(hào)： NV3225SA

·               

（3） TTL 負(fù)載 型號(hào)： NV3225SA

·   

（4） LV-PECL 負(fù)載 型號(hào)： NV3225SA

·            

（5）LV-PECL 負(fù)載 型號(hào)： NV3225SA

 

（6） LV-PECL 負(fù)載 型號(hào)： NV3225SA

 

（7） LVDS 負(fù)載 型號(hào)： NV3225SA

 

（8） HCSL 負(fù)載 型號(hào)： NV3225SA

 

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